CVD硅碳負(fù)極產(chǎn)業(yè)化，“鏟子”很關(guān)鍵！

新型CVD法制備硅碳復(fù)合負(fù)極材料，其性能不僅取決于原料的選擇與優(yōu)化，沉積設(shè)備的關(guān)鍵作用同樣不容忽視。沉積設(shè)備的核心參數(shù)（如溫度場(chǎng)均勻性、氣流分布特性、壓力控制精度等）直接影響材料沉積的均勻性、重復(fù)性及工藝安全性。此外，設(shè)備的單次沉積容量和連續(xù)生產(chǎn)能力是決定其產(chǎn)業(yè)化可行性的關(guān)鍵指標(biāo)，這些因素直接影響生產(chǎn)成本和規(guī)?；苽湫?，進(jìn)而決定了該技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。

目前用于CVD硅碳負(fù)極工業(yè)化生產(chǎn)的設(shè)備主要有流化床和回轉(zhuǎn)爐兩種反應(yīng)器系統(tǒng)?；剞D(zhuǎn)爐設(shè)備是一個(gè)用于煅燒的固定床設(shè)備，通過傾斜和旋轉(zhuǎn)來確保物料的均勻加熱。在制備CVD硅碳負(fù)極材料的過程中，將多孔碳基體材料放入回轉(zhuǎn)爐中，通入惰性氣體并加熱到500℃左右，引入硅烷氣體進(jìn)行氣相沉積形成硅層，隨后繼續(xù)加熱，通入碳源進(jìn)行二次沉積形成碳層，從而制備出硅碳復(fù)合材料。

回轉(zhuǎn)爐化學(xué)氣相沉積裝備結(jié)構(gòu)示意圖

回轉(zhuǎn)爐作為工業(yè)常用的一種煅燒設(shè)備，技術(shù)成熟，運(yùn)行穩(wěn)定，安全性可靠，并且單機(jī)產(chǎn)能大，產(chǎn)品容易放大，燃料適應(yīng)性好。但回轉(zhuǎn)爐作為沉積設(shè)備容易導(dǎo)致沉積不均勻，硅烷利用率低（通常低于60%），產(chǎn)品一致性較差，最終制備的硅碳復(fù)合材料性能較差。因此如何解決回轉(zhuǎn)爐沉積過程中的均勻性需要進(jìn)一步優(yōu)化。

流化床設(shè)備是一種通過氣體或液體流體化固體顆粒的工藝設(shè)備。在CVD硅碳負(fù)極制備過程中，通過調(diào)整流體的流動(dòng)速度和溫度，使硅顆粒在床層中均勻分布，進(jìn)而將納米硅沉積到多孔碳中，并實(shí)現(xiàn)對(duì)硅顆粒的碳包覆。

流化床化學(xué)氣相沉積裝備結(jié)構(gòu)示意圖

流化床由于沉積均勻性較好，硅烷利用率高（可達(dá)85%以上），并且可以實(shí)現(xiàn)對(duì)硅顆粒形態(tài)和尺寸的控制，確保硅碳復(fù)合材料的均勻性和穩(wěn)定性，而被視為行業(yè)發(fā)展的未來。但是硅烷吸附與裂解需要高壓與高溫環(huán)境，因此要求流化床設(shè)備需要有極好的密閉性和高氣壓以實(shí)現(xiàn)小顆粒的氣態(tài)包覆，操作難度高，安全問題大，規(guī)?；y度較大。

目前多數(shù)廠家用于生產(chǎn)CVD硅碳負(fù)極的流化床設(shè)備仍以20 kg/爐小型化設(shè)備為主，產(chǎn)量較低，而設(shè)備廠家雖然已開發(fā)出超過100 kg/爐的流化床設(shè)備，但是相關(guān)設(shè)備的驗(yàn)證、工藝的優(yōu)化及改進(jìn)、投入量產(chǎn)使用仍需要時(shí)間。

在流化床設(shè)備制造方面，目前國(guó)內(nèi)已有蘇州紐姆特、佛山賽普飛特、山東貝億特等幾家企業(yè)在布局。蘇州紐姆特的核心產(chǎn)品之一FB-CVD 流化床氣相沉積設(shè)備為行業(yè)發(fā)展做出了突出貢獻(xiàn)。

蘇州紐姆特流化床氣相沉積反應(yīng)器FBCVD-100

佛山賽普飛特的100kg級(jí)設(shè)備據(jù)稱已完成客戶全流程調(diào)試，實(shí)現(xiàn)了“調(diào)試即滿產(chǎn)，滿產(chǎn)即達(dá)標(biāo)”的超預(yù)期表現(xiàn)。山東貝億特基于十余年的流態(tài)化技術(shù)及理論基礎(chǔ)，也宣稱已具備百公斤級(jí)新型硅碳流化床設(shè)備的設(shè)計(jì)能力。

佛山賽普飛特CVD氣相沉積包覆成套設(shè)備

對(duì)于材料生產(chǎn)商而言，在設(shè)備選型時(shí)需要在工藝可控性、生產(chǎn)安全性和經(jīng)濟(jì)效益之間進(jìn)行權(quán)衡；而對(duì)于設(shè)備制造商來說，開發(fā)兼具回轉(zhuǎn)爐可靠性和流化床高效性的新型反應(yīng)器系統(tǒng)，或通過工藝優(yōu)化最大限度地發(fā)揮現(xiàn)有設(shè)備的優(yōu)勢(shì)，是推動(dòng)CVD硅碳材料規(guī)?；a(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)突破方向。

參考來源：

[1]鄧拓等：化學(xué)氣相沉積法制備硅碳負(fù)極的研究進(jìn)展，電子科技大學(xué)材料與能源學(xué)院

[2]相關(guān)企業(yè)報(bào)道

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